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「第２回集積エレクトロニクス技術公開シンポジウム」の開催について
令和８年２月１８日（水）、横浜国立大学大学院先進実践学環は、本学の総合学術高等研究院半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター（ＳＱＩＥ研究センター）との共催により、第２回公開シンポジウムを開催いたします。産業界をはじめ、各方面でご活躍の皆様にぜひご参加いただきたく、下記のとおりご案内いたします。
■概要
名称： 横浜国立大学 集積エレクトロニクス技術公開シンポジウム
主催： 横浜国立大学 半導体・量子集積エレクトロニクス研究センター／大学院先進実践学環
開催日時： ２０２６年２月１８日（水） １３：００－１７：００（懇親会１７：１０－１８：４５）
会場： ＴＫＰガーデンシティＰＲＥＭＩＵＭ横浜駅新高島（横浜駅から徒歩７分）
横浜市西区みなとみらい５－１－１ 横浜グランゲート２階
（２階ＴＫＰ専用エントランスをご利用ください。１階エントランスとは繋がっておりません。）
参加費： 無料（懇親会含め）
開催形式： 対面のみ
定員： １００名（先着）
趣旨： 本シンポジウムは、我が国における最先端の半導体および集積エレクトロニクス技術に関する最新動向を共有し議論を行い、本分野の技術者・研究者が新たな知見やネットワークを築く場を提供します。また、横浜国立大学での取り組みや、本学で今年度から開始した集積エレクトロニクスに関するリスキリングプログラムについても紹介します。
＜プログラム＞
１３：００－１３：０５ 開会挨拶 学長 梅原出
１３：０５－１３：１０ 挨拶 ＳＱＩＥ研究センター長 真鍋誠司
１３：１０－１３：５５ 特別講演１「半導体集積デバイス技術の基礎と進化」
帝京大学先端総合研究機構 髙木信一
１３：５５－１４：４０ 特別講演２「メンブレン化合物半導体デバイスを用いた光電融合デバイス」
ＮＴＴ先端集積デバイス研究所 松尾慎治
１４：４０－１４：５０ 講演「半導体リスキリングプログラムについて」
ＳＱＩＥ研究センター 荒川太郎
１５：０５－１５：４０ 招待講演１「ノーベル物理学賞から見える次世代半導体・超伝導エレクトロニクス」
ＳＱＩＥ研究センター 吉川信行
１５：４０－１６：１５ 招待講演２「極限性能から再設計する超低消費電力エレクトロニクス」
ＳＱＩＥ研究センター 西口克彦
１６：１５－１６：５０ 招待講演３「次世代半導体を支える「後工程」技術の今」
ＳＱＩＥ研究センター 井上史大
１６：５０－１６：５５ 閉会挨拶 ＳＱＩＥ研究センター 為近恵美
１７：１０－１８：４５ 懇親会
申し込みフォーム
お問合せ：先進実践学環係（メールアドレス ifgs-jimu-2@ynu.ac.jp）